HeNe激光器优点和缺点,外腔窄线宽半导体HENE激光器优选
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乌克兰和俄罗斯在全球氖、氪和氙等稀有气体的供应中占据重要地位。这些稀有气体，尤其是氖气，是制造半导体芯片的关键材料。氦氖(HeNe)激光器作为制造中的重要工具，其供应可能因俄乌冲突而面临挑战。虽然HeNe激光器具有诸多优点，但同时也存在一些缺点。
HeNe激光器优点显著，包括高相干长度、稳定的中心波长、高光谱纯度以及低成本。这些特性使得HeNe激光器在精密仪器、测量装置和特定光谱应用中成为首选。然而，HeNe激光器寿命较短，预热时间长，输出功率较低，且体积较大。高压操作也是一大风险。因此，尽管价格低廉，但工业应用中HeNe激光器的局限性较为明显。
HeNe激光器的替代品，如半导体二极管激光器，提供了更高的性能和更长的寿命。这类激光器在633nm波长可提供30-40mW的功率，具有出色的波长稳定性、光束质量和更长的使用寿命。与HeNe激光器相比，半导体激光器在成本、性能和维护方面更具优势，因此在工业应用中正逐渐取代HeNe激光器。
结论是，尽管HeNe激光器在某些应用中仍有其独特价值，特别是在需要参考标准的情况下，但随着半导体激光器性能的提升和成本的降低，工业4.0时代中HeNe激光器的使用将会减少。未来，半导体激光器将成为更多工业应用的首选，而HeNe激光器可能主要限于需要特定特性或作为校准标准的应用。
