发布网友 发布时间:2022-04-22 14:12
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热心网友 时间:2023-07-03 06:04
新洁能IGBT基于沟槽电场截止型IGBT技术(Trench Field Stop)理论,进一步优化了器件结构,采用了先进超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process),大幅提高了器件的功率密度,显著改善了动态、静态性能。相比上一代新洁能IGBT,新一代(Trench FS II)新洁能IGBT模块面积更小,芯片厚度更薄;导通压降(VCEsat)降低约0.3V,开关损耗降低20%以上;器件可耐工作温度更高,使用寿命更长;且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性;综合性能达到业内领先水平。
热心网友 时间:2023-07-03 06:04
目前IGBT国际市场分布是这样的:
NO.1:英飞凌
NO.2:三菱,富士
N0.3:国内品牌