专利名称：一种单晶硅拉晶用装置专利类型：实用新型专利
发明人：刘学,尚伟泽,武志军,刘伟,张文霞,张全顺,王岩,李建
弘
申请号：CN201720877865.5申请日：20170719公开号：CN207659556U公开日：20180727
摘要：本实用新型提供了一种单晶硅拉晶用装置，包括炉体、氮气气源和氩气气源，所述氮气气源通过第一管道和炉体连通，所述氩气气源通过第二管道和炉体连通，所述第一管道和第二管道分别设有质量流量计。本实用新型所述的一种单晶硅拉晶用装置中，炉体连接有氮气气源和氩气气源，在拉晶过程中通过氩气‑‑‑氮气转换满足拉晶需求，由于氮气价格低是氩气1/5，因此能够降低气体成本；同时，由于掺氮硅单晶的位错激活能比常规单晶的要高，塑性变形能通过位错滑移释放较常规单晶快，因此掺氮单晶能够提高硅片机械强度提高硅片机械强度；其次，掺氮促进氧沉淀、减少空洞型缺陷区域；另外，通过该装置方法得到的晶体硅，减小了电池光衰。
申请人：内蒙古中环光伏材料有限公司
地址：010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕宝力尔街15号
国籍：CN
代理机构：天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人：李成运
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