专利名称：薄膜形成装置及形成方法专利类型：发明专利
发明人：熊谷晃,石桥启次,田中雅彦申请号：CN03158198.6申请日：20030917公开号：CN1490851A公开日：20040421
摘要：一种薄膜形成装置，将真空容器内部由导电隔板分成两室，其一为设置高频电极的等离子体生成空间。另一用作基片保持机构的成膜处理空间。导电隔板上有通连此两空间的多个通孔，还有与此生成空间分隔且经多个原料气体扩散孔与该处理空间相通的第一内部空间。用于由放电等离子体生成所需活性基团的气体导入此生成空间，生成的活性基团经上述通孔供给该处理空间。原料气体从外部供给此第一空间，经原料气体扩散孔供给该处理空间，利用所述活性基团与原料气体反应而于基片上成膜。此隔板上尚有与该第一空间分隔经多个气体扩散孔与该处理空间相通的第二内部空间以导入原料气体以外的气体。
申请人：安内华股份有限公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：杜日新
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