专利名称：薄膜形成装置和薄膜形成方法专利类型：发明专利
发明人：篠川泰治,本田和义,神山游马,山本昌裕,柳智文申请号：CN200880119323.5申请日：20081119公开号：CN101889103A公开日：20101117
摘要：本发明提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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