专利名称：碳化硅场效晶体管专利类型：发明专利
发明人：洪建中,颜诚廷,洪湘婷,李传英申请号：CN201410728271.9申请日：20141203公开号：CN105655394A公开日：20160608
摘要：本发明提供了一种碳化硅场效晶体管，包括碳化硅基板、n型漂移层、p型磊晶层、源极区域、沟槽式栅极、至少一个p型掺杂区域、源极、介电层以及漏极。通过设置该p型掺杂区域位于该n型漂移层而相邻于该沟槽式栅极的侧边，并使该p型掺杂区域包含与该p型磊晶层接触的第一掺杂区块以及多个从该第一掺杂区块朝向该碳化硅基板而间隔排列的第二掺杂区块，使该第二掺杂区块的厚度不需超过2μm，不仅避免受限于离子注入的深度的问题，也能有效降低该沟槽式栅极的底部与转角处的电场，提高该碳化硅场效晶体管的可靠度。
申请人：瀚薪科技股份有限公司
地址：中国台湾新竹市埔顶路18号6楼之5
国籍：CN
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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