专利名称：磁传感器专利类型：发明专利发明人：四竈格久,藤本佳伸申请号：CN201580051485.X申请日：20150925公开号：CN107076808A公开日：20170818
摘要：本发明提供一种磁场范围较宽的磁传感器。该磁传感器具有：基板；聚磁部，其配置在基板上或者基板内；多个磁检测部；以及运算部，聚磁部使与感磁轴方向不同的方向的外部磁场在多个磁检测部的各磁检测部变换为感磁轴方向的磁场，各磁检测部包含与基板的平面平行地排列的多个磁阻元件，多个磁阻元件的各磁阻元件包含根据外部磁场而使磁化的方向变化的自由层、磁化被固定的钉扎层、设置在自由层和钉扎层之间的隔层这样的层叠结构，多个磁阻元件中所含的一个磁阻元件的自由层的长度方向和与一个磁阻元件相邻的至少一个磁阻元件的自由层的长度方向为相同的方向，与一个磁阻元件相邻的至少一个磁阻元件沿着一个磁阻元件的自由层的长度方向排列。
申请人：旭化成微电子株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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