专利名称：IGBT复合元胞结构及其构成的可编程IGBT专利类型：发明专利发明人：蒋章,刘须电,缪进征申请号：CN201910034227.0申请日：20190115公开号：CN109817617A公开日：20190528
摘要：本发明公开了一种IGBT复合元胞结构，第一元胞结构包括金属电极上形成有集电极，集电极上形成有缓冲层，缓冲层形成有漂移区，漂移区上形成有体区，第一沟槽设置在漂移区和体区中，第一沟槽两侧的体区中形成有发射极，第一沟槽内壁形成有栅氧化层，栅氧化层内形成有多晶硅，层间介质设置在第一沟槽上的金属电极中；第二元胞结构包括金属电极上形成有集电极，集电极上形成有缓冲层，缓冲层上形成有漂移区，漂移区上形成有体区，第二沟槽设置在漂移区和体区中，第二沟槽内壁形成有栅氧化层，栅氧化层内填充多晶硅，层间介质设置在第一沟槽上的金属电极中。以及，一种具有所述IGBT复合元胞结构的可编程IGBT。本发明能根据负载工况调整IGBT的额定电流和电容参数。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：焦天雷
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