专利名称：硒化镓的多晶合成方法和单晶生长方法专利类型：发明专利
发明人：杨春晖,马天慧,朱崇强,雷作涛申请号：CN201610669690.9申请日：20160815公开号：CN106149046A公开日：20161123
摘要：硒化镓的多晶合成方法和单晶生长方法，它涉及中远红外非线性材料的多晶合成和单晶生长方法。它是要解决现有的GaSe多晶合成的化学计量偏移大和产率低及自发成核阶段易形成无效晶核与单晶生长方向不确定的技术问题。多晶合成：把单质Ga放在小舟中，再把它放到石英管的一端，Se放在石英管的另一端，抽真空后熔封，放在水平双温区管式电阻炉中合成，得到GaSe多晶，其化学计量比为1：(1～1.05)，产率大于97％。单晶生长：将GaSe多晶加入到PBN坩埚中，然后将PBN坩埚竖直放在石英管中，抽真空后熔封，再放在垂直双温区管式电阻炉中，单晶生长结束后获得GaSe单晶。可用作中远红外激光材料实现8～10μm激光输出。
申请人：哈尔滨工业大学
地址：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
国籍：CN
代理机构：哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙)
代理人：王艳萍
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