专利名称：一种分离栅MOSFET器件结构专利类型：实用新型专利发明人：殷允超,周祥瑞,刘锋申请号：CN201821247697.2申请日：20180803公开号：CN208400855U公开日：20190118
摘要：本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种分离栅MOSFET器件结构，包括有源区，有源区内包括若干个相互并联的器件元胞单元，器件元胞单元包括第一导电类型衬底及第一导电类型漂移区，在第一导电类型漂移区的上部设有第二导电类型阱区，在第二导电类型阱区间设有第一类型沟槽及位于第一类型沟槽两侧的第二类沟槽，且沟槽均从第一导电类型漂移区表面延伸到其内部，在第一类型沟槽内填充有分离栅多晶硅、厚氧化层及掩蔽氧化层，在第二类沟槽内填充有栅极多晶硅及栅氧化层，栅极多晶硅的内侧与厚氧化层邻接；该器件的制作工艺简单，光刻次数少，成本较低，同时分离栅器件沟槽宽度和深度容易控制，器件耐压性能更好，具有更低的导通电阻。
申请人：江苏捷捷微电子股份有限公司
地址：226200 江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号
国籍：CN
代理机构：无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人：曹祖良
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