专利名称：一种集成电路的抗辐射版图设计方法专利类型：发明专利发明人：佘晓轩
申请号：CN201610367157.7申请日：20160527公开号：CN107436962A公开日：20171205
摘要：本发明属于集成电路领域，涉及一种基于隔离N阱与存储单元的抗辐射电路版图设计方法。本发明在电路版图设计中，使非存储单元电路的N阱与存储单元间的距离大于或等于预先指定的最短许可距离，使非存储单元电路的N阱与存储单元间的隔离区有大于或等于预先指定最小面积的区域被NMOS晶体管占据，使非存储单元电路N阱的面积小于或等于预先指定的最大许可面积。本发明的版图设计方法可避免存储单元电路中NMOS晶体管源极的大量电子经P衬底流向漏极产生较大漏电流，从而使电路具有抗辐射特性。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：吴桂琴
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容