（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN200710094149.0 （22）申请日 2007.10.16
（71）申请人 上海华虹NEC电子有限公司
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
（10）申请公布号 CN101414558B
（43）申请公布日 2010.05.26
（72）发明人 杨欣;孙勤
（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 周赤
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
减少湿法刻蚀颗粒污染的方法
（57）摘要
本发明公开了一种减少湿法刻蚀颗粒
污染的方法，在将所述一组硅片置于药液中进行刻蚀的同时，在所述一组硅片周边设置一平行于所述硅片表面的电场。所述电场可以使颗粒克服范德华力作用从而远离硅片表面，避免小颗粒间的团聚现象，进而减少颗粒沾污。 法律状态
法律状态公告日
2009-04-22 2009-06-17
公开
实质审查的生效
法律状态信息
公开
法律状态
实质审查的生效
法律状态公告日
2010-05-26 2014-01-15
授权
法律状态信息
授权
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
权利要求说明书
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说明书
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