专利名称：半导体装置以及功率放大器模块专利类型：发明专利
发明人：大部功,梅本康成,柴田雅博,那仓健一申请号：CN201810261605.4申请日：20180327公开号：CN108735698A公开日：20181102
摘要：本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。
申请人：株式会社村田制作所
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：李逸雪
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