专利名称：一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法专利类型：发明专利发明人：程哲,张连,张韵申请号：CN201711280649.3申请日：20171206公开号：CN108091566A公开日：20180529
摘要：本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法，包括：提供半导体外延片；在半导体外延片上制作硬掩膜层；在硬掩膜层上制作掩膜层；以掩膜层为掩膜刻蚀硬掩膜层，图形化硬掩膜层；去除掩膜层露出图形化的硬掩膜层；对露出图形化的硬掩膜层的半导体外延片进行器件间台面隔离；在半导体外延片的异质结外延层表面的阳极区域刻蚀该异质结外延层形成阳极凹槽，之后去除光刻胶和硬掩膜层；在半导体外延片的异质结外延层表面的阴极区域形成层阴极金属。本发明利用纳米压印技术或铺聚苯乙烯球技术实现纳米级阳极凹槽，从而制备同时具有低开启电压、低导通电阻、高饱和电流等良好正向导通特性与低漏电、高击穿电压等良好反向关断特性的肖特基二极管。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：任岩
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容