专利名称：干式蚀刻方法专利类型：发明专利发明人：铃木圣唯,八尾章史申请号：CN201880068626.2申请日：20181024公开号：CN111279460A公开日：20200612
摘要：本发明提供一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧的合计量的0.01体积％以上。作为所述含氟羧酸，可列举单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸、五氟丁酸等。通过该干式蚀刻方法，能以高蚀刻速率蚀刻氮化硅，对氧化硅及多晶硅具有高选择比，可抑制对氧化硅的损伤。
申请人：中央硝子株式会社
地址：日本山口县
国籍：JP
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
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