专利名称：晶片级封装的发光二极管芯片及其制作方法专利类型：发明专利发明人：杨秋忠
申请号：CN200710162089.1申请日：20071204公开号：CN101452975A公开日：20090610
摘要：一种晶片级封装的发光二极管芯片及其制作方法，是于一晶片衬底上利用半导体工艺的上光致抗饰剂、曝光、显影及蚀刻等步骤形成发光二极管，发光二极管顶面具有一正电极与一负电极，于晶片衬底切割成单颗发光二极管芯片前，利用一切除步骤将相邻发光二极管连接的外延层予以去除，并以一形成具延伸的防护层的步骤，在发光二极管除正、负电极的顶面的周缘形成有一具延伸防护层的防护层，使发光二极管芯片可利用防护层产生抗湿气、防氧化、防短路等自我保护作用，如此可减少后续的组装打线、封装及封装测试等动作，而能大幅缩短生产流程与时间，可降低制造成本，且提高产品良率，进而增进其经济效益。
申请人：杨秋忠
地址：台湾省台中市
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤保平
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