专利名称：发光二极管封装结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：赖志成
申请号：CN201210572550.1申请日：20121226公开号：CN103904190A公开日：20140702
摘要：一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供共晶焊接设备，提供电阻测量仪，该电阻测量仪包括电阻探针、恒流电源及配套电脑；提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片的顶部及底部两侧分别设有电极；提供基板；发光二极管芯片与基板的顶面贴合；发光二极管芯片与基板之间发生共晶焊接过程；电阻测量仪的电阻探针与该发光二极管芯片的电极接合并测量光二极管芯片与基板的电阻值，当测得的电阻值与预设的电阻值一致时，所述共晶焊接设备完成对发光二极管芯片与基板之间的共晶焊接过程。与现有技术相比，本发明的制造方法能够实时检测发光二极管芯片与基板共晶焊接的效果。本发明还提供一种发光二极管封装结构。
申请人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,鸿海精密工业股份有限公司
地址：518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
国籍：CN
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